南宫·NG28功率半导体老化测试系统
南宫·NG28功率半导体老化测试系统是一款针对半导体产品方向的做高温反偏，栅极反偏老化测试设备，用以评估功率半导体的可靠性。
应用场景
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新能源汽车 -
储能 -
工业与通讯 -
航天航空 -
医疗设备
产品亮点
测试精度高
采样速率高
波形实时显示
数据直观
安全控制策略
保护使用者安全
实时故障侦测
ms级数据自动储存
基础参数
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产品型号NEPS-HTB2000015-V001
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高压源范围：0~2000V
精度：0.1%+100mV -
HTGB:IGES(IGDS)范围：0.1nA~15mA
精度 0.5%±2LSB
分辨率：10pA -
HTRB/H3TRB:ICES(IDSS)范围：1μA~10mA
精度：0.5%±2LSB
分辨率：1μA -
温箱温度范围(环境温度+20)℃～+300℃
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温箱波动度≤100℃时：0.4℃
≤200℃时：0.4℃
≤300℃时：0.8℃ -
温箱温度偏差≤100℃时：±1.5℃
≤200℃时：±2.0℃
≤300℃时：±3.0℃ -
电源分区最大支持8个电源分区
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交流输入电压:220±10%
频率:50/60Hz±3Hz
